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摘要
因为不成熟的p型GaN掺杂工艺无法满足传统的GaN基双漂移IMPATT器件制造要求，本文提出利用p型宽带隙材料SiC代替p型GaN制造p-SiC/n-GaN异质结双漂移（DDR）IMPATT二极管，并对其进行了性能研究。通过对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真，结果表明，相比传统的GaN单漂移（SDR）IMAPTT二极管，p-SiC/n-GaN新结构DDR器件的击穿电压、最佳负电导、交流功率密度和直流-交流转换效率都获得了明显提高，且具有更宽的振荡频带。本文所提出的器件结构在交流功率密度方面具有显著的应用潜力，交流功率密度达到了1.97 MW/cm~(2)。本研究为基于宽带隙半导体材料，特别是GaN和SiC材料IMPATT器件的设计和制造提供了参考。
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