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摘要
单层SnS薄膜作为一种典型的二维材料,由于其电子结构中存在能隙,因此在光电和催化等领域拥有广阔的应用前景.基于第一性原理计算,采用多体格林函数理论的GW近似方法,研究了单层SnS薄膜经过准粒子修正后的能带特征和带隙宽度,并利用描述电子和空穴对的Bethe-Salpeter方程(BSE)给出了这类二维薄膜的介电函数和光吸收特性.以此为基础,还系统研究了施加不同应变对单层SnS薄膜的电子结构和光吸收特性的影响和调控,研究结果表明通过在二维面内施加不同应变,能够实现对单层SnS薄膜的带隙宽度和带隙类型(直接和间接带隙)的有效调控,进而影响其光吸收特性.研究结果可以为将来针对这类二维材料进一步开展人工低维器件的制备以及拓展其在光电等领域的应用提供理论基础.
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