795nm单偏振稳定垂直腔面发射激光器的研究

作者：梁津; 关宝璐; 胡丕丽; 张峰; 董晨; 王菲; 王志鹏

来源：半导体光电, 2019, 40(04): 489-493.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2019.04.009

• 垂直腔面发射激光器
• 单偏振
• 非对称氧化孔
• 湿氮氧化

基于非对称氧化技术,引入氧化孔径横向光场损耗各向异性,使得TE/TM偏振光功率差进一步增加,TM偏振得到有效抑制,从而实现795nm垂直腔面发射激光器单偏振稳定输出。实验结果显示:当氧化孔径为7μm×5.5μm时,不同温度下偏振抑制比均在10dB以上,最高达到16.56dB;当氧化孔径为20μm×18μm时,偏振抑制比也可以达到15.96dB。最终,得到偏振抑制比为16dB、水平发散角为8.349°、垂直发散角为9.340°的单偏振稳定输出795nm垂直腔面发射激光器(VCSEL),为实现单偏振高光束质量VCSEL激光光源提供了实验基础。

• 单位
  北京工业大学