有源区掺杂的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化

作者：尹孟爽; 张傲翔; 张鹏飞; 贾李亚; 王芳; 刘俊杰; 刘玉怀^*

来源：原子与分子物理学报, 2024, 41(03): 176-181.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2024.036006

• AlGaN
• 有源区
• 量子势垒
• 掺杂
• 深紫外激光二极管

为了改善深紫外激光二极管的性能，本文提出了有源区量子势垒n掺杂、p掺杂和n-p掺杂三种结构.利用Crosslight软件，对原始结构和有源区掺杂的三种结构进行仿真研究，比较四种结构的P-I特性曲线、V-I特性曲线、载流子浓度、辐射复合速率和能带图.仿真结果表明，有源区量子势垒n-p掺杂结构的性能更优，其阈值电压和阈值电流分别为4.40V和23.8mA;辐射复合速率达到1.64×1028cm-3/s;同一注入电流下电光转换效率达到42.1%,比原始结构增加了3.9%;改善了深紫外激光二极管的工作性能.

• 单位
  郑州大学