多面体低聚硅倍半氧烷环氧化物的合成研究

作者：刘长军; 李效东; 田丰; 张彦军

来源：现代化工, 2005, S1: 130-132+137.

DOI：10.16606/j.cnki.issn0253-4320.2005.s1.033

• POSS环氧化物
• 三乙烯基POSS
• 环氧化
• 合成 polyhedral oligomeric silsesquioxane epoxide
• tris(dimethylvinylsilyloxy)-polyhedral oligomeric silsesquioxane
• epoxidation
• synthesis

用过氧乙酸氧化三乙烯基POSS(多面体低聚硅倍半氧烷)单体制备了POSS环氧化物,通过核磁共振和傅立叶变换红外光谱分析三乙烯基POSS环氧化前后结构的变化,研究并讨论了H2O2浓度、乙酸含量、反应温度、反应时间对三乙烯基POSS环氧化反应的影响。结果表明三乙烯基POSS环氧化的适宜条件是:H2O2浓度50%(质量分数),反应温度70℃,CH3COOH与H2O2摩尔比0.5∶1,反应时间h时。

• 单位
  国防科学技术大学; 军事医学科学院; 天津大学; 材料科学与工程学院