稀磁半导体TiMnO_2分子束外延生长和磁学性质

作者：李树玮; 李新宇; 吴曙翔; 许灵敏; 刘雅晶; 邢祥军

来源：半导体技术, 2008, S1: 379-382.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.s1.108

• 稀磁半导体TiMnO2
• 分子束外延
• 室温铁磁性 diluted magnetic semiconductor TiMnO2
• molecular beam epitaxy
• room temperature ferromagnetism

用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+与缺陷之间存在相互作用。与具有缺陷的Mn∶TiO2薄膜不同的是,具有好的结晶质量的Mn∶TiO2薄膜没有磁性,这说明室温稀磁性质与材料的结构缺陷具有很大的联系。

• 单位
  光电材料与技术国家重点实验室; 中山大学