铜互连CMP中BTA的缓蚀机理及Cu-BTA的去除研究进展

作者：刘孟瑞; 檀柏梅^*; 高宝红; 牛新环; 孙晓琴; 高鹏程; 刘玉岭

来源：微纳电子技术, 2019, 56(12): 1010-1027.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2019.12.011

• 苯并三唑(BTA)
• 铜
• 缓蚀
• Cu-BTA
• 化学机械抛光(CMP)

铜具有低电阻率和高抗电迁移性,是目前极大规模集成电路的主流金属互连材料。化学机械抛光(CMP)是实现铜表面局部与全局平坦的关键工艺。为获得铜互连较高的凹凸材料去除速率选择比,通常需在CMP抛光液中加入缓蚀剂苯并三唑(BTA),而CMP后铜表面的BTA残留需要在后续的清洗工艺中进行有效的去除。对铜互连CMP中BTA对铜的腐蚀抑制机理的研究进行了归纳分析,并对BTA与其他试剂协同抑制铜腐蚀的研究进行了讨论,进而论述了碱性清洗液对Cu-BTA络合物去除的研究进展,并概述了新型缓蚀剂的研究现状,最后对缓蚀剂未来的研究方向进行了展望。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学