微波等离子增强型PVD低温溅射SiGe(C)薄膜

作者：李可为

来源：半导体技术, 2012, (10): 776-780+789.

• 电子回旋共振等离子
• SiGe(C)单晶薄膜
• 低温溅射
• 晶体质量
• 表面形貌 electron cyclotron resonance(ECR)
• SiGe(C) single crystal films
• low temperature sputtering
• crystal quality
• surface morphology

利用微波-电子回旋共振等离子(ECR)增强型PVD设备,低温外延生长了SiGe(C)薄膜。对所制备样品的结晶性、表面形貌和成分与衬底温度、衬底偏置电压的关系进行了讨论,采用反射式高能电子衍射仪(RHEED)

• 单位
  成都工业学院