840nm VCSEL阵列湿法氧化研究

作者：侯立峰; 钟景昌; 赵英杰; 郝永芹; 冯源; 谢浩锐; 姜晓光

来源：半导体技术, 2008, (06): 473-476.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.06.006

• 垂直腔面发射激光器
• 阵列
• 湿法氧化
• 热相互作用 VCSEL
• array
• wet oxidation
• thermal interaction

湿法氧化工艺已经成为制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其阵列的关键技术,为提高器件的散热性能,对单元器件采用环行分布孔的氧化窗口,优化设计了分布孔的数目与间距,同时从瞬态热传导方程对构成激光器阵列单元器件的热相互作用进行了理论的分析。采用湿法氧化工艺制备了840 nm、3×3二维VCSEL阵列,对阵列器件的光电特性、光谱及近场等进行了测量,证明器件性能良好。

• 单位
  长春理工大学; 中国人民解放军装甲兵技术学院