InAs_(0.96)Sb_(0.04)红外薄膜的光学性质研究

作者：邓惠勇; 方维政; 洪学鹍; 戴宁

来源：红外与毫米波学报, 2007, (01): 5-9.

• InAsSb
• 光学常数
• 椭偏光谱
• 液相外延

采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs0.96Sb0.04薄膜.在1.5~5.5 eV光子能量范围采用紫外—可见光椭圆偏振光谱仪于室温下测试了其介电函数谱ε(E).基于电子带间跃迁和联合态密度理论,采用S.Adachi的MDF模型对ε(E)进行了拟合,并计算了各种临界点电子跃迁对ε(E)的贡献.结果表明:实验数据与模型吻合得非常好,E1和E1+Δ1跃迁发生在布里渊区(BZ)的Λ轴或L点,分别对应于M1型临界点Λ5v→Λ6c(或L4v.5→L6c)和Λ6v→Λc6(或L6v→L6c)跃迁;E2跃迁是由于M1型和M2型鞍点能量简并引起的,沿着BZ的Σ和Δ轴方向.

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 红外物理国家重点实验室