ICP刻蚀4H-SiC栅槽工艺研究

作者：户金豹; 邓小川; 申华军; 杨谦; 李诚瞻; 刘可安; 刘新宇

来源：真空科学与技术学报, 2015, 35(05): 570-574.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2015.05.10

• 微掩膜
• 感应耦合等离子体
• 碳化硅
• 栅槽
• 微沟槽效应

为避免金属掩膜易引起的微掩膜,本文采用SiO2介质作为掩膜,SF6/O2/Ar作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对4H-SiC trench MOSFET栅槽刻蚀工艺进行了研究。本文详细研究了ICP刻蚀的不同工艺参数对刻蚀速率、刻蚀选择比以及刻蚀形貌的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随着ICP功率和RF偏压功率的增大而增加;随着气体压强的增大刻蚀选择比降低;而随着氧气含量的提高,不仅刻蚀选择比增大,而且能够有效地消除微沟槽效应。刻蚀栅槽形貌和表面粗糙度分别通过扫描电子显微镜和原子力显微镜进行表征,获得了优化的栅槽结构,RMS表面粗糙度<0.4nm。

• 单位
  株洲南车时代电气股份有限公司; 电子科技大学; 中国科学院微电子研究所; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室