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摘要
针对高速永磁同步电机(HSPMSM)的电感值小、基波频率高等特点，以及Si基IGBT开关速度和电压等级限制而引起的电机运行过程中定子电流谐波含量高、发热严重和响应延迟大的问题，研究SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在HSPMSM转速跟踪控制中的应用。通过双脉冲测试电路分析了SiC和Si器件的开关特性，结果表明SiC MOSFET具有更快的开关速度和更低的开关损耗。基于Simulink/PSpice联合仿真，搭建了HSPMSM矢量控制仿真模型。仿真结果表明，采用SiC器件的逆变器能加快电机转速响应速度，减少电流高次谐波，提高输出稳定性，从而提高转速跟踪性能。
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