基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET建模与分析

作者：郭毅锋; 王旭; 李霞^*; 李昊龙; 李凯莹

来源：半导体技术, 2021, 46(03): 216-222.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.03.008

• SiC MOSFET
• 等效电路
• Matlab/Simulink仿真
• 曲线拟合
• 动态特征
• 静态特性

针对现阶段SiC MOSFET建模研究无法应用在电机控制系统领域的现状,提出了一种基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET仿真电路模型。对功率器件的动态特性和静态特性进行综合分析,采用非分段受控电流源模型模拟功率器件静态特性,具体分析SiC MOSFET的开关过程,同时采用曲线拟合的方法对影响器件开关过程的非线性电容进行表征,在Matlab/Simulink中建立SiC MOSFET等效电路模型。为了验证模型准确性,将仿真结果与数据手册中的数据进行比较分析,仿真结果表明所建模型可以较为准确地描述SiC MOSFET动、静态特性,开通时间和关断时间误差均小于7%,对比结果验证了模型的准确性和有效性。建立的模型为SiC MOSFET在电机控制策略仿真及应用领域提供了参考依据。

• 单位
  中车唐山机车车辆有限公司; 广西科技大学