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摘要
采用监测溶液电导率的方法 ,研究了碳酸钙的结垢速率 ,包括晶核生长速率和晶粒长大速率 ,以及温度和阻垢剂对碳酸钙结垢速率的影响。可以计算出在不同温度、不同阻垢剂时碳酸钙结垢的反应速率常数及活化能。实验表明 ,晶核生长和晶粒长大速率可以用一级反应方程来表示。温度、阻垢剂主要对晶核生长的反应速率产生影响。反应温度愈高 ,晶核生长的反应速率愈快。在一定的过饱和度范围内 ,加入一定浓度的阻垢剂 ,可以延长反应的诱导期 ,并且降低晶核生长的速率 ,但是并不改变反应级数。过饱和溶液中一旦有晶核生成 ,晶粒很容易长大 ,即溶液中晶粒长大的条件是有晶核的存在 ,而温度、阻垢剂对之影响甚微。
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单位武汉大学; 化学与分子科学学院
