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摘要
为了探究CO气体分压对Cu催化合成一维碳化硅(Si C)形貌和数量的影响，以酚醛树脂为碳源、单质硅粉为硅源、酒石酸铜为催化剂前驱体，采用催化反应合成法制备出不同形貌的一维Si C。利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和透射电子显微镜对合成产物进行了表征分析，研究了催化剂、气氛和温度对合成一维SiC的影响。结果表明：酚醛树脂和硅粉在1 400℃反应合成了蠕虫状的一维Si C。1 200℃时，Cu催化酚醛树脂和硅粉分别在氩气气氛和CO气氛下合成了珠链结构和核壳结构的一维Si C。蠕虫状一维Si C的生长机理是气相CO与液相Si反应生成固相Si C的生长机制(V-L-S机制)，珠链结构和核壳结构一维Si C的生长机理是气相Si O和CO直接反应生成固相Si C的生长机制(V-S机制)。研究结果为碳复合耐火材料中原位生成不同形貌一维Si C陶瓷增强相提供理论依据。
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