碳化硅功率器件技术发展综述

作者：吴炜杰; 张宇阳; 王朝阳; 黄湛为; 张帮敏^*

来源：材料研究与应用, 2023, 17(03): 427-366.

DOI：10.20038/j.cnki.mra.2023.000305

• SiC薄膜
• 功率器件
• 制备工艺
• MOSFET
• IGBT

第三代半导体SiC因禁带宽、热导率高等优异性能得到广泛关注,SiC功率器件也成为学术界和工业界的研究热点。从SiC材料性质出发,归纳分析了SiC薄膜与SiC功率器件制备工艺,回顾了SiC MOSFET和IGBT器件的发展,讨论了SiC MOSFET和IGBT器件的结构设计优化和性能评估,最后指出SiC器件面临的挑战及发展趋势。

• 单位
  中山大学