钨化学气相沉积工艺过程中的缺陷研究

作者：季连涛

来源：集成电路应用, 2022, 39(01): 38-42.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2022.01.013

• 集成电路制造
• 钨薄膜
• 化学气相沉积
• 气相成核颗粒
• “火山效应”缺陷

阐述在半导体制造过程中,钨化学气相沉积工艺由于其在接触孔/通孔中优良的填孔能力而被广泛应用于芯片制造中,在钨薄膜淀积过程中会出现因硅烷(SiH4)/氟化钨(WF6)比例不同而造成的缺陷问题。探讨硅烷(SiH4)过量而产生的气相成核(GPN)颗粒缺陷及氟化钨(WF6)扩散至氮化钛薄膜下底与钛和硅反应生成钛氟化物(TiF3/TiF4)或者硅氟化物(SiF4)的腐蚀缺陷(火山效应)以及对其产生机理进行了简要概述,并对其缺陷的产生提出了有效的改善方法。