本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法,所述阻变存储器的制备方法包括：选择衬底层；在所述衬底层上生长第一电极；在所述第一电极上生长阻变层；在所述阻变层上生长若干第二电极；将一侧的所述阻变层、所述第二电极刻蚀掉直至漏出所述第一电极,以完成所述阻变存储器的制备。本发明在阻变存储器制备中通过为阻变层选择适当的掺杂剂,使得阻变存储器的存储窗口增大的同时阻变存储器还具有forming-free特性。
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