量子效应和器件结构参数对隧穿晶体管特性的影响

作者：姚成军

来源：其他, 2012.

• 隧穿场效应晶体管(TFET)
• 技术计算机辅助设计(TCAD)
• 正偏压温度不稳定(PBTI)
• 量子效应
• 可靠性 tunneling field effect transistor (TFET)
• technology computer aided design (TCAD)
• positive bias temperature instability (PBTI)
• quantum effects
• reliability

随着集成电路中器件密度的增加,传统平面MOS晶体管(MOSFET)的功耗问题变得更加突出。为了开发低功耗的器件,国际上进行了大量的研究。其中.隧穿场效应晶体管(TFET)因其独特的工作原理而有潜力用作低功耗器件。本论文利用技术计算机辅助设计(TCAD)工具,研究量子效应和器件结构参数对TFET特性的影响。 论文第一章介绍了本项研究的背景和意义。第二章介绍了TCAD器件模拟工具、使用方法以及注意事项。第三章首先讨论了TFET中存在的几种基本量子效应,然后研究了量子统计和量子限制效应对TFET的特性和可靠性的影响,并和传统MOSFET的特性作了比较。第四章研究了尺寸、材料和结构对TFET特性...

• 单位
  复旦大学