在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变

作者：王元樟; 陈路; 巫艳; 吴俊; 于梅芳; 方维政; 何力

来源：人工晶体学报, 2005, (04): 729-733.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2005.04.034

• CdTe/GaAs
• CdTe/Si
• 热应变
• 高分辨率多重晶多重反射X射线衍射
• 分子束外延

本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析。研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位。对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力。该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院研究生院