碳化硅MOSFET换流回路杂散电感提取方法的优化

作者：谢宗奎; 柯俊吉; 赵志斌^*; 黄华震; 崔翔

来源：电工技术学报, 2018, 33(21): 4919-4927.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.180761

• 碳化硅
• MOSFET
• 换流回路
• 杂散电感
• 开关振荡频率

在基于碳化硅(SiC)MOSFET器件的高压高频变换器中,快速的开关瞬态电流变化率di/dt会作用于换流回路杂散电感上,导致SiC MOSFET器件承受较大的电气应力,增加系统电磁干扰。因此,换流回路杂散电感的准确提取对于分析器件的开关特性非常关键。所以,该文提出了基于开关振荡频率的换流回路杂散电感提取方法,该方法具有不受杂散电阻、测量延时和平台尺寸的限制等优点。最后将该方法与现有的不同杂散电感提取方法进行了对比,验证了其有效性。

• 单位
  华北电力大学; 新能源电力系统国家重点实验室