U型量子阱氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法

作者：薛军帅; 郭壮; 吴冠霖; 姚佳佳; 李祖懋; 袁金渊; 李泽辉; 张进成; 郝跃

来源：2022-12-12, 中国, CN202211598148.0.

本发明公开了一种U型量子阱氮化镓共振隧穿二极管,主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管量子阱能带倾斜、集电极耗尽区宽度大导致透射系数小和隧穿电流低的问题。其包括衬底、GaN外延层、n～+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、两个势垒层、U型量子阱层、渐变组分隔离层、n～+InN集电极欧姆接触层和电极；U型量子阱层采用铟组分以8％-15％的间隔从第一势垒层递减到第二势垒层的InGaN；两个势垒层采用组分一致、厚度相同的BAlPN；渐变组分隔离层采用铟组分以2％-5％的间隔从第二势垒层递增到n～+InN集电极欧姆接触层的InGaN。本发明器件峰值电流和工作频率高,输出功率大,可用在太赫兹辐射源和高速数字电路。

• 单位
  西安电子科技大学