结构优化的异质Ca(Mg1/3Ta2/3)O3/CaTiO3薄膜介电性能

作者：李润润; 李月明; 闫朝一; 包亦望; 孙华君; 胡灏溔; 李宁益

来源：硅酸盐学报, 2021, 49(01): 174-179.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.20190823

• 薄膜
• 异质界面
• 微观结构
• 介电性能

采用Pechini方法,在Pt/Ti/Si O2/Si(100)基板上沉积了均质Ca(Mg1/3Ta2/3)O3 (CMT),Ca Ti O3 (CT)和堆叠次序不同以及摩尔比不同的异质Ca(Mg1/3Ta2/3)O3/Ca Ti O3 (CMT/CT)薄膜。结果表明:以CT为底层的异质CMT/CT薄膜可以形成单一的钙钛矿结构,以CMT为底层的异质薄膜则有杂相产生。对于以CT为底层的不同摩尔比的异质CMT/CT薄膜,随着CMT含量的增加,异质薄膜中CT的衍射峰逐渐减小至消失,而CMT的结晶度变得更强,这说明以CT为缓冲层将有助于上层的CMT形成钙钛矿相。介电性能研究表明:异质CMT/CT薄膜的介电常数高度依赖于CMT的含量,而介电损耗不但与CMT含量有关,还与异质薄膜中界面数有关。当n(CMT):n(CT)=1:1 (摩尔比)时,异质的CMT/CT薄膜的介电常数和损耗分别为56和0.038。

• 单位
  景德镇陶瓷大学; 武汉理工大学; 中国建筑材料科学研究总院