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摘要
本发明公开了一种基于铟镓锌氧化物的太赫兹超材料电调控器件结构,包括衬底层和填充刻蚀于衬底层上的金属谐振环与铟镓锌氧化物层组成的微结构谐振器阵列层,金属谐振环内设置有第一微带金线；还包括通过第二微带金线与第一微带金线连接的肖特电极；还包括与铟镓锌氧化物层相接触的IGZO条和与IGZO条相连接的欧姆电极,肖特电极与欧姆电极分别位于衬底层上表面的两侧。通过改变IGZO半导体材料电导率实现对特定频率太赫兹波的透射光谱响应的调节；通过改变阵列单元中的结构尺寸,可以实现对响应波长进行较大范围的调节。双电容开口谐振环结构的太赫兹调控器件结构紧凑,制作简单,调控效率高,在太赫兹调控领域将有很好的应用前景。
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