Na掺杂含量对ZnO:Na_x薄膜结构和光电性能的影响

作者：郑展; 陈凌翔; 叶志镇

来源：材料科学与工程学报, 2013, (01): 23-26+132.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2013.01.020

• Na掺杂
• p型
• 紫外带边发射
• 受主态NaZn Na doping
• p-type
• near-band-gap transition
• acceptor NaZn

利用激光脉冲沉积法(PLD)制备了Na掺杂ZnO∶Nax薄膜(0≤x≤0.1),并较全面地研究了Na含量对ZnO∶Nax薄膜结晶质量和光电性能的影响。研究结果表明Na含量低于5%时,ZnO∶Nax薄膜能够保持良好的c轴择优取向生长。随着Na含量的增加,薄膜由本征n型转变为p型。并且当Na含量为2%时,获得p型性能良好的薄膜:电阻率为53.5Ωcm,迁移率为0.55cm2V-1s-1,空穴浓度为2.1×1017cm-3。结合XPS测试结果,我们认为p型转变是因为Na掺杂在ZnO中主要形成受主态NaZn。PL测试表明ZnO∶Na0.0 2薄膜在377nm处具有良好的室温紫外带边发射。

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室