EBCMOS钝化层表面残气吸附特性

作者：李书涵; 陈文娥; 王重霄; 陈卫军^*; 宋德^*; 李野

来源：半导体光电, 2023, 44(06): 901-906.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2023081501

• EBCMOS
• 密度泛函理论
• Al2O3钝化层
• 气体吸附

基于密度泛函理论，研究了电子轰击互补金属氧化物半导体(EBCMOS)钝化层表面的残气吸附机制，并分析其电学特性。结果表明，以Al2O3钝化层为例，真空腔内残余气体H2在Al2O3不同表面的吸附为物理吸附，在(001)面的吸附距离最大，吸附强度最低，电荷转移最少。对比CO,N2,CO2,H2O等残余气体分子在(001)表面的吸附结果发现，(001)面对残气分子的吸附均为物理吸附，(001)面相比于其他表面，对残余气体分子有更好的抑制作用，所生成钝化层能提高EBCMOS器件电子倍增层的电荷收集效率。研究结果对研制寿命长而稳定的EBCMOS器件具有理论指导意义。

• 单位
  长春理工大学; 物理学院