B-4C表面原位生成SiC晶须的复合陶瓷粉体及制备方法

作者：陈平安; 邹鑫; 李享成; 朱颖丽

来源：2022-07-04, 中国, ZL202210781588.3.

本发明涉及一种B-4C表面原位生成SiC晶须的复合陶瓷粉体及制备方法。技术方案是：按催化剂∶溶剂的质量比为1∶(10～100),将催化剂溶于溶剂,得A溶液。按碳化硼粉体中的B-4C∶A溶液中的催化剂所含金属元素的摩尔比为1∶(0.01～0.5),将碳化硼粉体加到A溶液中,超声分散,搅拌,得B溶液,干燥,得A粉体。按A粉体∶硅微粉的质量比为(1～100)∶1配料,混合,得B粉体。将B粉体压制成生坯,于1100～1800℃和惰性气体的条件下保温1～6h,得碳化硼复合陶瓷块。将碳化硼复合陶瓷块破碎,研磨,筛分,制得B-4C表面原位生成SiC晶须的复合陶瓷粉体。本发明工艺简单、生产周期短、SiC晶须的生成量可控、产量高和无环境污染,所制制品力学性能好。

• 单位
  武汉科技大学