Se与Te替位掺杂对WS2-MoS2纳米器件电子输运性质的影响

作者：林丽娥; 廖文虎^*

来源：吉首大学学报(自然科学版), 2023, 44(01): 14-52.

DOI：10.13438/j.cnki.jdzk.2023.01.003

• 纳米器件
• 半导体
• 电子输运
• 调控
• 负微分电阻效应

基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的第一性原理计算方法，研究了Se与Te原子替位掺杂对WS2-MoS2纳米器件电子输运性质的影响.结果表明，WS2-MoS2纳米器件为间接带隙半导体，器件电流在[+0.7 V,+1.0 V]与[-1.0 V,-0.9 V]偏压范围内随着偏压的增大逐渐减小，呈现显著的负微分电阻效应；Se与Te原子对WS2-MoS2纳米器件进行替位掺杂后均呈现有趣的负微分电阻效应，器件两端电流的隧穿也显著改善；Se原子对WS2-MoS2纳米器件中S原子进行替位掺杂时，器件转化为p型半导体；Te原子对WS2-MoS2纳米器件中S原子进行替位掺杂时，器件转化为p型半导体甚至金属，且导电性能大幅提升.

• 单位
  机电工程学院