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摘要
在本文中,我们提出并制造了一种基于多阈值耦合技术的高线性度Al Ga N/GaN HEMT即MVC-HEMT,该结构是通过对势垒层在栅宽方向进行阵列化刻蚀,将平面器件和凹槽器件进行集成,从而平坦化跨导（Gm）和小信号曲线的(fT/fmax)轮廓,改善HEMT器件的线性特性。通过优化器件结构参数,最终制备得到的MVC-HEMT器件的跨导栅压摆幅（GVS）达5.5V,并且其fT/fmax为45/65 GHz,在较大的栅压范围内基本保持不变;同时,制备得到的MVC-HMET在8 GHz下的OIP3为38.5 dBm,较同一批次制备的常规AlGaN/GaN HEMT的OIP3改善了约7.5 dB。因此,本文提出的MVC-HEMT器件对改善未来无线通信系统的线性度问题具有重要的研究意义,也将成为一种极具潜力的高线性器件结构。
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