Pb掺杂对REOBiS2(RE=La,Yb)电磁性能的影响

作者：苏宇峰; 兰冬蓉; 陈永亮; 崔雅静; 赵勇

来源：低温物理学报, 2016, 38(05): 38-42.

DOI：10.13380/j.cnki.chin.j.lowtemp.phys.2016.05.007

• BiS2基超导体
• 金属-半导体转变

利用固相反应法合成了一系列的La_(1-xPbxOBiS2和LaOBi1-xPbxS2(x=0,0.01,0.02,0.03,0.05,0.1)样品,并研究了Pb掺杂对LaOBiS2的晶体结构及电磁性能的影响.XRD测试结果表明,所有样品均具有CeOBiS2型晶体结构,而且Pb的掺杂导致LaOBiS2的晶格发生明显的变化.磁性测量结果表明,所有样品和LaOBiS2的磁性相似,在低温下均为顺磁性特征.尽管Pb在LaOBiS2中掺杂不能导致超导电性的发生,但对其电阻率产生了明显的影响,Pb在La位掺杂抑制了LaOBiS2的金属-半导体转变,使其电阻率在室温以下表现为半导体的特征.同样Pb在YbOBiS2中的掺杂也没观察到超导转变.

• 单位
  西南交通大学