高瞬态冲击下陶瓷电容损伤过程中参数漂移的研究

作者：李晓峰; 程向群; 富玉; 王钢

来源：兵工学报, 2020, 1-7.

• 多层陶瓷电容
• 高瞬态冲击
• 参数漂移
• 电容容值测试
• 霍普金森杆 multilayer ceramic capacitor
• high transient impact
• parameter drift
• capacitance test
• Hopkinson bar

触发引信随弹体碰击和侵彻目标过程中经历的大瞬态高过载可能导致电容承受的应力急剧增加,严重情况将造成结构损伤,应力的瞬变带来电容参数的漂移,进而影响到与电容相关的电路单元。针对高瞬态冲击环境下带电电容参数漂移问题,基于高速充放电原理提出一种高重复频率的电容参数测试方法,利用分离式霍普金森杆试验装置作为加载途径,设计高瞬态加载过程中测试电容参数漂移的系统,进行多组高动态加载试验,峰值过载由1.8×10~4g提高至16.8×10~4g,观测到未开裂电容和开裂电容在冲击过程中的充放电现象,通过数据分析获得电容应变、冲击过载和电学参数变化历程,数据曲线显示:在应力波首次通过电容时,电容容值减小,容值减小...

• 单位
  北京理工大学; 吉林江机特种工业有限公司