硅和碳化硅二极管在脉冲功率源中的对比研究

作者：唐泽伦; 董健年^*; 张军; 徐麟

来源：电子测量技术, 2019, 42(02): 37-42.

DOI：10.19651/j.cnki.emt.1802017

• 碳化硅二极管
• 脉冲形成网络
• 浪涌电流

碳化硅功率器件近年来发展很快,具有高击穿电压、高热导率等优点。通过仿真和实验研究了碳化硅二极管作为续流二极管应用在脉冲形成网络中的表现,并与硅二极管作对比。实验结果表明,碳化硅二极管在常温下抗浪涌电流能力不如硅二极管。在高温下两者抗浪涌电流能力均有所减弱,但硅超快恢复二极管的抗浪涌电流能力下降更多。可以预见在更高的温度下,碳化硅肖特基二极管的抗浪涌电流能力将超过硅快恢复二极管。

• 单位
  南京理工大学