AlGaN/GaN肖特基二极管漏电流传输机制与模型

作者：任舰; 苏丽娜; 李文佳

来源：微电子学, 2019, 49(02): 266-269.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180209

• AlGaN/GaN
• 肖特基二极管
• 漏电流
• 传输机制与模型

制备了一种势垒层为非掺杂Al0.27Ga0.73N的AlGaN/GaN肖特基二极管。通过拟合不同温度和应力时间下的电流数据,研究了该肖特基二极管的反向漏电流的传输机制和模型。研究表明,在不同温度下,ln(I/E)与E1/2呈线性关系,电流由Frenkel-Poole(FP)发射主导。考虑极化电场和势垒层缺陷的影响,对FP发射模型进行了修正。对修正后的FP模型进行了光发射显微镜测试。测试结果表明,AlGaN/GaN肖特基二极管漏电流的传输机制为高电场通过缺陷发射电子,缺陷的势垒高度约为0.3 eV。

• 单位
  淮阴师范学院