不同设计参数对SOI射频开关小信号的影响

作者：莘海维; 刘张李

来源：电子技术应用, 2019, 45(02): 16-22.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.181774

• SOI
• 射频开关
• 小信号
• 插入损耗
• 隔离度

基于0.2μm SOI RF工艺平台,设计了串联支路、并联支路、单刀单掷、单刀双掷等电路结构,分析研究了单级宽度、级联数目、偏置电阻、偏置电压等设计参数对射频开关小信号特性的影响。通过实验数据,讨论各参数对射频开关小信号特性,主要包括射频开关的插入损耗和隔离度的影响,为射频开关设计提供参考。