用激光沉积方法制得半掺杂锰氧化合物Pr0.5Ba0.1Sr0.4MnO3外延薄膜,结果显示,只有在沉积温度为740℃时,才能得到真正的外延薄膜。当温度从5K增加到300K时,薄膜依次由反铁磁绝缘体转变为铁磁半导体、铁磁金属、顺磁半导体。在发生反铁磁—铁磁和铁磁—顺磁两种转变时,样品在较低的磁场(0.2T)作用下,都表现出了较强的庞磁电阻效应。
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