低温生长GaAs在Nd∶YVO_4激光器中调Q特性的研究

作者：姜其畅; 卓壮; 王勇刚; 李健; 苏艳丽; 马骁宇; 张志刚; 王清月

来源：光子学报, 2006, (08): 1133-1136.

• 低温生长GaAs
• 被动调Q
• Nd∶YVO_4激光器
• 半导体抽运 GaAs grown at low temperature
• Passive Q-switch
• Nd∶YVO_4 laser
• Laser diode pumping

采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd∶YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84μJ,最高峰值功率为330W,最大平均输出功率为1.16W;脉冲重复频率在220kHz到360kHz之间.

• 单位
  中国科学院半导体研究所; 山东师范大学; 电子工程学院; 天津大学