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摘要
功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性最重要的实验，尤其是碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管(siliconcarbonmetal-oxide-semiconductorfield-effect transistor,Si C MOSFET)功率器件的快速发展，是近几年的研究热点。与其他可靠性测试不同的是，功率循环测试原理虽然简单，但测试技术、测试方法和数据处理却涉及到半导体物理、电磁学、传热学、结构力学和信号分析等多学科交叉，处理不当将得到错误的结论。文中基于功率循环测试基本原理，从测试技术、测试方法和数据处理3个大方面对其存在的挑战进行深入分析，并提出相应的解决方案。测试技术主要包括电气测量噪声、结温测量延时和数据采集点，电气测量噪声和测量延时影响功率循环测试中结温的准确性，数据采集点则是影响器件的失效模式判定和寿命。测试方法主要包括结温测试方法、电流激励方法和宽禁带器件Si C MOSFET的相关测试方法，其中电流激励方法会影响器件的失效机理和寿命，需要特别关注。数据处理部分则是从可靠性数理统计角度出发，探究测试样本数量和对测试结果的修正，以得到准确的测试结果。该文可以为功率循环测试技术和设备的发展奠定一定理论和方法基础，为功率循环测试和数据分析提供一些借鉴。
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单位新能源电力系统国家重点实验室; 华北电力大学
