本发明公开了基于硒化钯薄膜/硅锥包裹结构异质结的宽波段高性能光电探测器及其制备方法,是先在具有氧化硅层的n型轻掺硅片上刻蚀出硅锥结构,再在硅锥结构外包裹PdSe2薄膜,从而使二者形成异质结。本发明的光电探测器,器件制备过程简单、性能稳定、性能良好,为过渡族金属硒化物材料在光电探测器中的应用开拓了新的前景。
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