摘要

<正>一种同质晶体管-存储器架构和新型类脑神经形态硬件华中科技大学光电信息学院/武汉光电国家研究中心缪向水、叶镭团队与合作者在传感-存储-计算一体化研究方面取得新进展。相关成果发表于Science。文章提出了二维材料与铁电近邻耦合实现感-存-算一体的新方法。一方面,固定的铁电极化等效为非易失栅极电场对二维材料沟道进行电学掺杂,从而构建PN结、结型晶体管(BJT)等器件,用于构建外围电路;另一方面,铁电畴的极化翻转调制能够改变BJT的结区内建势垒,用于构建非易失存储器,并提升高低阻值比,以实现存内计算。利用同质的晶体管-存储器架构,还实现了2T2R(两个晶体管和两个忆阻器)结构的新型三态内容寻址存储器(TCAM)单元,可以应用于大规模数据并行寻址。