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摘要
本发明公开了一种用于氧化物材料体系的蚀刻液,该蚀刻液包括氧化物蚀刻溶液、起到稠度调节作用的调节剂以及水；同时本发明还公开了上述蚀刻液的蚀刻方法及应用。本发明公开的蚀刻液和蚀刻方法可普遍适用于Sn、Zn、Al、Ga、In基及其合金氧化物薄膜材料刻蚀,尤其是ZnO、AZO、GZO、IGZO、IZO等氧化物材料的刻蚀,也可广泛的用于制备精细电子部件中氧化物材料的刻蚀,例如半导体光电器件、太阳能电池、TFT薄膜晶体管、半导体集成电路和透明电极等。本发明的蚀刻液相较于传统的刻蚀液,其具有抑制侧蚀、防止刻蚀不均以及防止刻蚀残留的效果。
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