二氧化硅表面化学镀银研究

作者：陈勇; 吴明阳; 谭晓明; 熊航行; 冯靖; 朱琼

来源：贵金属, 2021, 42(04): 55-60.

• 二氧化硅
• 硅烷偶联剂改性
• 化学镀银
• 导电性能

通过二氧化硅(SiO2)表面硅烷偶联剂改性，继续以聚甲基吡咯烷酮(PVP)为稳定剂，银氨溶液为银源，葡萄糖与甲醛为二元还原剂，对 SiO2表面化学镀银工艺进行了研究。最佳镀银工艺条件为：当 AgNO3/SiO2 质量比为 1:1，葡萄糖浓度为 0.1 g/mL，反应温度为 30℃，反应溶液 p H 值为13.5，能够获得较高导电率的 SiO2镀银(SiO2-Ag)复合粒子，最高导电率为 2564 S/cm。使用红外光谱、X 射线衍射、热重分析和偏光显微镜等表征产物的物化性能，结果表明：PVP 参与化学镀银反应，使 SiO2-Ag 的热失重变大。基于实验结果探讨了二氧化硅化学镀银的反应机理。

• 单位
  荆楚理工学院