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摘要
对于AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED），高Al组分的电子阻挡层（EBL）在抑制电子泄露的同时，也不可避免地造成空穴注入效率的严重下降。在本文中，我们研究了EBL中p型掺杂的低Al组分插入层对DUV LED性能的影响，借助APSYS仿真软件对器件的光电性能、能带结构，以及载流子分布进行了系统的分析。结果表明，低Al组分插入层的引入能够降低空穴的有效势垒高度，进而提高空穴的注入效率，改善有源区中载流子的分布。此外，本文还发现p型掺杂的低Al组分插入层在EBL中的相对位置和DUV LED的性能之间有着紧密的联系。
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