MMIC芯片衰减器的设计与检测

作者：王聪玲^*; 钟清华; 龙立铨; 张铎; 张青

来源：电子元件与材料, 2019, 38(03): 86-90.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.03.016

• 嵌套掩膜刻蚀
• HFSS仿真
• MMIC芯片衰减器
• 氮化钽薄膜
• 回波损耗

本文提供了一种单片微波集成电路(MMIC)芯片衰减器,采用氮化钽薄膜作为电阻材料,利用嵌套掩膜刻蚀技术将芯片衰减器结构一层一层套刻在陶瓷基片上。主要研究了利用氮化钽薄膜电阻制作芯片衰减器的优点,结合HFSS仿真软件,建立3 dB和10 dB芯片衰减器的有限元模型,并对实物产品进行测试验证。试验结果表明:3 dB芯片衰减器在DC～20 GHz工作频率内有较好的衰减响应,回波损耗在整个宽频带内都小于-20 dB,衰减量偏差在DC～12 GHz工作频率内小于±0.3 dB。10 dB芯片衰减器在DC～20 GHz工作频率内也有较好的衰减响应,回波损耗在整个宽频带内都小于-19 dB,衰减量偏差在DC～12 GHz工作频率内小于±0.35 dB。