边缘湿法刻蚀GaInP/GaAs/Ge太阳电池研究

作者：许军; 铁剑锐; 赵拓; 韩志刚

来源：电源技术, 2020, 44(11): 1619-1621.

• 表面复合
• 湿法刻蚀
• 套刻
• 子电池

介绍了一种边缘湿法刻蚀工艺制备GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池的技术,因刻蚀形成的划切槽界面光滑程度远高于砂轮划切界面,有效降低了复合中心的密度,从而提升了太阳电池的光电转换性能。通过一种含溴的水溶液一次性刻蚀替代了传统的不同溶液交替刻蚀相应Ⅲ-Ⅴ族材料,显微镜下,含溴水溶液工艺获得的划切槽明显优于交替溶液刻蚀形成的划切槽;通过一次性湿法刻蚀、两次套刻和真空蒸镀工艺制作的具有划切槽太阳电池AMO下光电转换效率达到29.13%,高于无划切槽工艺制作的GalnP/GaAs/Ge电池效率。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十八研究所