密度扰动的类Richtmyer-Meshkov不稳定性增长及其与无扰动界面耦合的数值模拟

作者：孙贝贝^*; 叶文华; 张维岩

来源：Acta Physica Sinica, 2023, 72(19): 123-130.

• 惯性约束聚变
• 密度不均匀
• 类Richtmyer-Meshkov不稳定性
• 扰动种子

靶丸材料内部扰动在冲击波作用后会产生类似Richtmyer-Meshkov (RM)不稳定性的增长并耦合到烧蚀面产生扰动种子.本文使用数值模拟的方法研究了这种类RM不稳定性增长规律以及不稳定性与界面的耦合机制.研究表明,线性阶段密度扰动类RM不稳定性增长速度满足δv∝ky?uη.密度扰动到界面的耦合有声波耦合和涡合并两种机制,声波耦合引起的界面扰动增长速度满足δv i/(ky?uη)∝e-kyL.界面上的Atwood数为正时,界面上涡量和密度扰动的涡量方向相同,涡合并导致扰动速度增大. Atwood数为正时,降低界面上的Atwood数以及增大界面上过渡层的宽度均可减小密度扰动耦合引起的界面扰动增长.

• 单位
  北京应用物理与计算数学研究所; 中国工程物理研究院