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摘要
基于ZnO材料的半导体特性,制备了一款敏感元件为纳米尺度的谐振器。阐明了一维半导体材料静电激励场效应拾振的检测原理,利用COMSOL Mutiphysics耦合仿真分析软件,建立了ZnO谐振梁仿真模型。仿真分析了ZnO梁静电激振参数的对谐振特性的影响,优化得到最佳激振参数:交流0.01 V,沟道深度1.2μm。采用MEMS工艺制备了谐振器基底,利用转移工艺形成了长度50μm,直径550 nm的ZnO谐振梁元件,并通过FIB沉积技术形成欧姆接触。基于混频锁相原理,测量了ZnO谐振梁静电激振场效应拾振的幅频特性,结果表明该谐振梁特征频率为1.018 MHz,与仿真结果吻合。
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