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摘要
采用化学共沉淀法一次煅烧工艺制备了Y2.88-xGdxAl5O12:0.06Ce3+(x=0～0.5)系列荧光粉，研究了Gd3+掺杂对制备的荧光粉样品的晶体结构、发光性能和光色性能的影响。研究结果表明：Gd3+掺杂没有改变样品晶体结构，晶胞参数先减小后增大；其激发光谱分布在320～520 nm,激发峰位于340 nm和450 nm处，可被蓝光InGaN芯片有效激发；在450 nm蓝光激发下，发射光谱强度先增大后减小，光谱峰位从533 nm红移到542 nm,色坐标点向白光坐标曲线移动。
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单位材料与化工学院; 中核建中核燃料元件有限公司; 中原工学院
