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摘要
为了同时提高AZ61的MgF2+MgO微弧氧化膜层的电化学腐蚀与磨损性能,运用复合电介质顺序放电学术思想,通过减弱击穿熔体的喷发,使膜层进一步致密,进而使其性能得到提高。膜层的MgF2+MgO质量比率α、微观组织、电化学腐蚀与磨损性能的研究结果表明:α=1.2时,减弱击穿熔体喷发的效果显著好于α=0.1和α=11.8时,膜层的内部致密层厚度可提高到3.6μm,是现有微弧氧化膜层的3倍,外部疏松层的阻抗可提高到13 555Ω·cm2,比α=0.1和α=11.8的大30%。该膜层可将AZ61的自腐蚀电压Ecorr由-1.912 VSCE提高到-0.455 VSCE,自腐蚀电流密度Icorr由378 6×10-6 A/cm2减小到0.453×10-6 A/cm2、磨损率由921×10-5 mm3/N·m降低到0.5×10-5 mm3/N·m。
- 单位
