基于碳纳米管背电极的晶体硅太阳能电池

作者：张泽麟; 赵珂; 崔贤; 姚有为; 韦进全^*

来源：新型炭材料, 2019, 34(03): 302-306.

DOI：10.19869/j.ncm.1007-8827.2019.03.006

• 太阳能电池
• 碳纳米管
• 异质结
• 晶体硅

碳纳米管(CNTs)具有优异的电学与光电性能,可用作太阳能电池的空穴传输材料。本文将CNTs薄膜置于晶体硅(c-Si)太阳能电池的背面,以取代铝背电极,构成c-Si/CNTs太阳能电池。c-Si/CNTs太阳能电池的短路电流密度可达35.5 mA·cm-2,比刷涂铝背极c-Si电池的高8%。表明CNTs具有很强的空穴收集和输运能力,可用作c-Si太阳能电池的背电极。用稀氢氟酸(HF)处理c-Si/CNTs界面,放置100 h后,电池的填充因子由44.5%提高到62.6%,转换效率由7.1%提高到10.9%。

• 单位
  材料学院; 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室; 清华大学; 清华大学深圳研究生院