高压DC-DC控制器高效功率管驱动电路研究

作者：刘雨鑫; 张云燕; 曾丽娜; 杜永乾

来源：华中科技大学学报(自然科学版)科技大学, 2021, 49(03): 29-33.

DOI：10.13245/j.hust.210306

• 功率管驱动
• 高压DC-DC控制器
• 导通损耗
• 开关损耗
• 开关速度

针对高压降压DC-DC(直流转直流转换器)输入电压范围宽的特点,设计了驱动电路通过钳位电路设定高压的驱动电压,同时通过源极跟随提供驱动功率管开启的驱动电流.电路集成于一款40 V 0.18μm BCD(双极型晶体管、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物半导体)工艺的高压降压DC-DC控制器芯片中,测试结果表明:在200 kHz开关频率下空载功耗为4 mA;驱动功率管开启电压最高为14 V,当输入电压小于14 V时能够提供接近输入电压的驱动压差;PMOS(P型金属氧化物半导体)功率管栅极电压驱动速率在40 V/μs以上,NMOS(N型金属氧化物半导体)功率管栅极电压驱动速率在60 V/μs以上.驱动电路具有高驱动速度和高驱动电压差,以降低开关损耗及导通损耗.

• 单位
  西北工业大学